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삼성 반도체, 부진 속에서도 혁신으로 반등을 노리다!
- 삼성전자가 2024년 상반기까지 메모리와 파운드리 부문에서 부진한 성과를 보이고 있지만, 하반기에는 혁신적인 기술을 통해 반등을 시도하고 있습니다.
- 특히, 6세대 HBM(HBM4)와 1C D램, 그리고 파운드리 부문에서 기술 경쟁력을 강화하고 있습니다.
- D램 가격 하락: 범용 D램 가격이 2024년 상반기까지 지속적으로 하락할 것으로 예상되며, 이는 중국 저가 제품의 공습 때문입니다.
- 고객 확보 실패: HBM과 파운드리 부문에서 대형 고객 확보가 지연되며 삼성전자의 영업이익이 감소하고 있습니다.
- 미래 기술 확보 필요: 경쟁사 대비 기술력 우위를 확보하기 위해 HBM4와 10나노급 6세대 D램의 개발 및 양산이 필수적입니다.
- HBM4 개발: HBM4는 고성능 메모리 시장에서의 핵심 제품으로, 엔비디아와 같은 대형 고객 확보를 목표로 하고 있습니다.
- 1C D램 양산: 10나노급 6세대 D램을 기반으로 삼성의 메모리 기술력 회복을 시도하고 있습니다.
- 투트랙 전략: 파운드리 부문에서는 2·3나노 공정을 안정화하고, 레거시 공정에서도 고객을 확대하려는 전략을 실행 중입니다.
경제용어 확인
- HBM (High Bandwidth Memory): 고성능 연산을 지원하는 고대역폭 메모리 기술.
- 1C D램: 10나노급 6세대 D램으로, 차세대 메모리 기술의 핵심.
- DDR4: 더블데이터레이트 4세대 D램 표준.
- 파운드리: 반도체 설계 회사를 대신하여 반도체를 제조하는 서비스.
- 코어다이: HBM 메모리에서 기본이 되는 D램 칩 구조.
질문할 수 있는 점은?
- 삼성전자가 HBM4 기술로 경쟁력을 되찾으려면 어떤 추가적인 전략이 필요할까요?
- HBM4의 생산량을 늘리고 고객 맞춤형 솔루션을 제공하는 것이 중요합니다.
- 동시에 경쟁사 제품과의 차별화를 강조해야 합니다.
- 범용 D램 시장의 하락세를 극복할 수 있는 방법은 무엇인가요?
- 삼성은 고부가가치 제품으로 제품 포트폴리오를 다각화하고, 차세대 기술 투자로 시장 점유율을 확대해야 합니다.
어떻게 투자에 적용할 수 있을까?
- 반도체 ETF 투자:
- 삼성전자와 같은 반도체 제조업체뿐만 아니라 관련 공급망에 투자하는 ETF를 선택하세요. SOXX (iShares Semiconductor ETF)
- 고부가가치 메모리 관련 주식:
- HBM4 및 1C D램 관련 기술을 선도하는 기업의 주식을 조사해 투자합니다.
- 삼성전자, SK하이닉스, 엔비디아 등
삼성전자는 현재 메모리와 파운드리 부문에서 어려움을 겪고 있지만, 6세대 HBM4와 1C D램을 통해 기술 경쟁력을 회복하며 하반기 반등을 기대하고 있습니다.
이를 위해 고부가가치 메모리 개발, 대형 고객 확보, 그리고 안정적인 공정 수율 확보에 전력을 다하고 있습니다.
개인투자자들은 관련 ETF나 기술주를 통해 반도체 시장 변화에 대응할 수 있는 전략을 고려해볼 수 있습니다.
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